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要吃肉就得先挨饿,看到5G这块肥肉,想争想抢,那需要懂得舍弃旧技术、旧产品,把一年前的旧ic芯片、旧主板、旧成品、旧半成品该“扔”得扔,把旧产品换个壳、换种支持模式就想成为手机生产大户?那是欺骗市场,肯定不会在中午被淘汰。只有大力发展新技术才是王道。
新一代比老一代:频率更高、容量更大、速度更快、电压更低,DDR4加快普及中,成为市场主流,不同代内存条可通过内存上的标签贴纸或看防呆口位置就可以分辨。
内存时序,就是CPU从内存中找到数据的延时时间,相同规格下(DDR代数、频率等等),时序越小,延时越低,内存性能越好。
闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快,所以被称为Flash erase EEPROM,或简称为Flash Memory。
DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
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